Search or add a thesis

Advanced Search (Beta)
Home > اکویہویں صدی دے سرائیکی افسانے داموضوعاتی، فنی و فکری جائزہ

اکویہویں صدی دے سرائیکی افسانے داموضوعاتی، فنی و فکری جائزہ

Thesis Info

Author

قدسیہ نیر

Supervisor

جاوید حسان چانڈیو

Institute

Allama Iqbal Open University

Institute Type

Public

City

Islamabad

Country

Pakistan

Thesis Completing Year

2018۔

Thesis Completion Status

Completed

Page

134.ص

Subject

Other Literature

Language

Urdu

Other

Call No: 891.42 ق د ا; Publisher: علامہ اقبال اوپن یونیورسٹی،

Added

2021-02-17 19:49:13

Modified

2023-01-06 19:20:37

ARI ID

1676714415282

Asian Research Index Whatsapp Chanel
Asian Research Index Whatsapp Chanel

Join our Whatsapp Channel to get regular updates.

Similar


Loading...
Loading...

Similar Books

Loading...

Similar Chapters

Loading...

Similar News

Loading...

Similar Articles

Loading...

Similar Article Headings

Loading...

تحقیق میں مفروضے کی اہمیت

موضوع9:تحقیق میں مفروضے کی اہمیت
مفروضات:
مفروضات ،مفروضہ کی جمع ہے اسے فرضیہ بھی کہتے ہیں مفروضہ یا فرضیہ کی فن تحقیق کے ماہرین نے مختلف تعریفیں کی ہیں۔سادہ اور پچیدہ مسائل کے لئے فرضیات کا استعمال کیا جاتا ہے۔ ان کے اطلاق کی مثالیں ہمیں روزمرہ معمولات میں ملتی ہیں۔
فرضیہ ایک آزمائشی اور توضیحی بیان ہوتا ہے جو دو یا دو سے زیادہ متغیرات کے تعلق کے بارے میں موجود ہوتا ہے۔ اس تعلق کا تجرباتی طور پر مشاہدہ کیا جا سکتا ہے۔چونکہ فرضیہ تحقیق کا ایک اہم ذہنی آلہ ہوتا ہے ، اس کی حیثیت ایک سائنسی اندازے کی ہوتی ہے جو کسی عملی یا نظری مسئلے سے متعلق متغیرات کے تعلق کے بارے میں قائم کیا جاتا ہے۔سید جمیل احمد رضوی کے بقول:
"روزمرہ زندگی کے معمولات میں رائے(Opinion)کا لفظ کثرت سے استعمال کیا جاتا ہے۔ شروع میں محقق زیرتحقیق مسئلے کے حل کے لیے کوئی ایک رائے یا چند آرا قائم کرلیتا ہے۔ان میں سے ہر ایک کو فرض یہ کے نام سے تعبیر کیا جاتا ہے۔"
ہل وے کے مطابق:
"لغت کے اعتبار سے فرضیہ اس کو کہا جاتا ہے جو نتیجے یا نظریے سے کم یا کم یقینی ہوتا ہے۔ یہ ایک معقول اندازہ ہوتا ہے جس کی بنیاد اس شہادت پر ہوتی ہے جو اندازہ لگانے کے وقت موجود ہوتی ہے۔محقق دوران تحقیق کئی فرضیات بنا سکتا ہے یہاں تک کہ وہ آخر میں ایک ایسا فرضیہ یا لیتا ہے جو زیرتحقیق صورتحال سے بہت زیادہ زیادہ مناسبت رکھتا ہے یا جو تمام معلومات کی توضیح نہایت عمدہ طریقے سے کرتا ہے۔"
ڈاکٹر شین اختر کے بقول:
"مفروضہ اسکالر کو حقائق اور اعداد و شمار کی ایک وسیع و عریض دنیا میں لے آتا ہے ،جہاں اسے اپنے کام کے مواد کا انتخاب کرنا ہے۔یہ مواد ایسا ہوتا ہے...

زین الدین ابن نجىم اور ہربرٹ بروم کى فقہی و قانونی تعبیرات کے حوالے سے قاعدہ ازالہ ضرر و مشقت کا عمومی جائزہ

Both Zainuddin Ibn Nujaim (d. 970HJ) and Herbert Broom (d. 1882CE) are famous for the arrangement, interpretations and for sound applications of juristico-legal maxims and rules respectively in Muslim and western world of law and jurisprudence. The al-Ashbah wa-Al-Nazair  of Ibn Nujaim and Broom’s Legal Maxims of Herbert Broom speak of their deep approach to the concerned discipline. This article provides a general analysis of the juristico-legal interpretations regarding the elementary maxim of hardship and injuria remedium (hardship and harm remission) as made by Ibn Nujaim (d.970HJ) and Herbert Broom(d.1882CE) in their aforesaid books.

Designing and Simulation of Silicon Carbide Based Devices for Power Applications

This research focuses on the designing and simulation of normally-on and normally- off 4H-SiC VJFET. In the present study, concepts of controlling and improving the device characteristics have been discussed by employing geometrical parameters, such as drift layer thickness and channel width along with doping concentration. A two dimensional numerical device simulator, Sentaurus TCAD, is used to design, model and optimize the structures of SiC VJFET. The extraction of parameters through finite element simulation is also a prime focus of this research. Based on the review of SiC JFET, different structures are designed to address some important parameters that are not readily accessible when using experimental methods. The relationship between electric field, electron mobility and electron velocity is also discussed through finite element simulation. The effect of channel concentration on breakdown and forward characteristics is discussed and devices are shown to behave normally-off in the selected range of channel concentrations from 1 x 1015 cm-3 to 9 x 1015 cm-3. Herein, we theoretically report the presence of bipolar mode at high gate voltage in 4H-SiC VJFET for the first time. To the best of our knowledge, these observations are not yet discussed experimentally. The theoretical evidence showing the presence of bipolar mode at high gate voltage hence reduces the current gain and specific on-resistance which ultimately effects the device performance. These investigations will definetly help improve the functionality of experimentally desigened devices afterwards. Temperature-dependent high voltage breakdown characteristics of normally-off 4H-SiC VJFET are also simulated, utilizing the wider drift layer thickness of 120 μm. In order to investigate the temperature-dependent electric field and impact ionization distribution, finite element simulation is performed. The distribution of electric field revealed the punch-through behavior which provides high breakdown voltage capability at narrow channel opening in case of zero gate bias or wider channel opening under limited negative gate bias. Furthermore, the device exhibits a negative temperature coefficient for breakdown voltage. Breakdown voltages are obtained with the dependence of channel widths demonstrating that negative gate voltage is required to obtain the maximum breakdown voltage. Furthermore, the effects of drift layer thickness with the dependence of drift doping on the breakdown voltage and specific on-resistance are discussed. Detailed analyses of design parameters are performed with the set of parameters used in the process calibration. The obtained results are compared with the experimental and theoretical reported data, demonstrating that the proposed structures show a good validation between simulation and experiments.