Search or add a thesis

Advanced Search (Beta)
Home > Synthesis and Characterization of Silver I Complexes of Tetramethylthiourea and Thiolates

Synthesis and Characterization of Silver I Complexes of Tetramethylthiourea and Thiolates

Thesis Info

Author

Tahira Gul.

Department

Chemistry Engineering Deptt U E T

Institute

University of Engineering and Technology

Institute Type

Public

Campus Location

UET Main Campus

City

Lahore

Province

Punjab

Country

Pakistan

Thesis Completing Year

2006

Thesis Completion Status

Completed

Page

57 . : ill.; diagrs. 28 cm.

Subject

Chemistry

Language

English

Other

Hardcover.; includes bibliographical references & index.; Call No: 547.7 T 13 S

Added

2021-02-17 19:49:13

Modified

2023-02-17 21:08:06

ARI ID

1676712328785

Similar


Loading...
Loading...

Similar Books

Loading...

Similar Chapters

Loading...

Similar News

Loading...

Similar Articles

Loading...

Similar Article Headings

Loading...

شاہی حمام تے غریب لوہار

شاہی حمام تے غریب لوہار

پرانے زمانے دی گل اے کہ اک ملک وچ بیماری پھیلن پاروں بہت تباہی ہوئی۔ اوس ملک دے بہت سارے لوک بیماری پاروں مر گئے۔ کاروبار تباہ ہو گیا۔ قحط سالی پاروں بہت سارے جانور وی مر گئے۔ مینہ نہ پین دی وجہ بہت سارے درخت سُک گئے۔ ایس ملک دا اک شہر اپنی ترقی تے خوبصورتی پاروں سارے ملک سگوں بیرون ملک بہت شہرت رکھدا سی۔ سب توں ودھ تباہی اوتھے ہوئی۔ کدے اوہ وقت سی کہ لوک دوروں دوروں اوس شہر دیاں عمارتاں تے لوکاں دا کم ویکھن لئی آندے سن۔ پر ہن اوتھے کجھ وی نئیں سی رہ گیا۔ بہت سارے لوک مر گئے یاں روزی دی تلاش وچ دوجیاں تھاواں اتے چلے گئے۔ جو لوک رہ گئے سن اوہ بہت ای سست سن۔ سوچدے ضرور سن کہ حالات نوں کویں بدلا جاوے پر اگے ودھ کے ہمت کوئی نئیں کردا۔

اک دن سارے بزرگ اک تھاں اکٹھے ہوئے تے آکھن لگے کہ شہر دی ترقی لئی کسے سچے تے ایمان دار بندے دی لوڑ اے۔ جو تباہی نوں دور کر کے شہر دیاں رونقاں مڑ توں بحال کر دیوے۔ سارے بیٹھے صلاحواں کر دے رہے پر کم کرن لئی اگے کوئی نہ ودھیا تے کسے نے وی ایہہ ذمہ داری چکن دا وعدہ نہ کیتا۔ اچانک اک 18 سال دا جوان کھڑا ہویا تے آکھن لگا۔ میں حلف دیندا واں تے تہاڈے نال وعدہ کردا ہاں کہ ایس شہر دیاں بحال کراں گا تے تسی مینوں ہمیشہ یاد رکھو گے۔ سارے بزرگ اوس جوان تے اوہدے گھر والیاں نوں چنگی طرح جاندے سن۔ ایس لئی اوہ سارے اوس جوان نوں اپنا سردار بناون تے اوس دی مدد کرن تے تیار ہو گئے۔ سب توں پہلاں اوہناں اوہدے سر اتے عزت دی پگ...

داعی کے اوصاف: سیرت طیبہ کی روشنی میں

Preaching stands as an obligatory duty and Sunnah of all the Prophets from Adam to Muhammad (SAW). The Prophets (SAW) remained committed with this obligation. After the departure of Prophet (SAW) from this material world, this duty has been assigned to the followers of Prophet Muhammad (SAW) but preaching requires certain qualities/traits. The article presents the qualities of a preacher in the light of Prophet’s biography who stands as a model of Excellence. The qualities of the preacher include the gentleness, cooperation with the followers, benevolence, tolerance, patience, respect for others and intellectual compatibility of the followers.

Reliability Assessment of Wide Band Gap Field Effect Transistors

In 1st part of the thesis, an improved temperature dependent analytical model is presented for wide bandgap MESFETs output characteristics. The model involves self-heating effects, which is a common phenomenon in FETs meant to handle a relatively large current and exhibit negative conductance in their output characteristics. A comparative analysis of modeled and observed characteristics exhibited a significant improvement in the modeled data. In 2nd part, an analytical model is presented to assess Miller capacitors of FETs. Based on four distinct regions underneath the Schottky barrier gate of the device, analytical expressions are developed to assess Miller capacitors for both linear, as well as, for saturation regions of operation. It is shown that, relative to earlier reported models, the proposed technique exhibited a significant improvement in assessing the device Miller capacitors. In 3rd part, substrate effects on AC performance of wide bandgap FETs are discussed. A comparative analysis is established, which demonstrated that both Si and SiC substrates are equally good, and there is a nominal change in the AC performance of the device by changing the substrate from Si to SiC. Particle swarm optimization technique is used to achieve optimized intrinsic parameters by involving measured S-parameters. It is established that Si substrate, which is considerably cheaper than SiC, could comfortably be employed to fabricate submicron GaN HEMTs. Finally, 4th part of the thesis presents a nonlinear model to simulate the I −V characteristics of submicron SiC FETs. The region where the Schottky barrier gate loses its control on the channel current, because of the high biased, is successfully modeled for better understanding of the device operation. It is shown that the device performance drastically affected when transconductance to output conductance ratio is less than unity. By attaining accurate compliance between the observed and modeled output characteristics, even for those conditions where the channel is behaving erroneously, device AC parameters are extracted to predict the reliability of the device characteristics under intense operating conditions.