Search or add a thesis

Advanced Search (Beta)
Home > دلی کے بائیس خواجہ

دلی کے بائیس خواجہ

Thesis Info

Author

ظہورالحسن شارب، ڈاکٹر

Institute

Allama Iqbal Open University

Institute Type

Public

City

Islamabad

Country

Pakistan

Thesis Completion Status

Completed

Page

279 ص

Subject

Biography

Language

Urdu

Other

Call No: 922.97 ظ ہ د; Publisher: حامد اینڈ کمپنی،

Added

2021-02-17 19:49:13

Modified

2023-01-06 19:20:37

ARI ID

1676714504039

Similar


Loading...

Similar Thesis

Showing 1 to 20 of 100 entries
TitleAuthorSupervisorDegreeInstitute
Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan
MA
University of the Punjab, لاہور
Mphil
Riphah International University, Faisalabad, Pakistan
Mphil
Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan
Mphil
University of Faisalabad, فیصل آباد
Mphil
University of Faisalabad, فیصل آباد
Mphil
Riphah International University, Faisalabad, Pakistan
Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan
Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan
MA
Minhaj University Lahore, لاہور
MA
Minhaj University Lahore, لاہور
MA
Bahauddin Zakariya University, ملتان
BAH
Government College University Lahore, لاہور
Mphil
Hazara University Mansehra, مانسہرہ
Mphil
Hazara University Mansehra, مانسہرہ
Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan
BAH
Government College University Lahore, لاہور
MA
Minhaj University Lahore, لاہور
Mphil
The Islamia University of Bahawalpur, Bahawalpur, Pakistan
Mphil
National College of Business Administration & Economics Multan, ملتان
TitleAuthorSupervisorDegreeInstitute
Showing 1 to 20 of 100 entries

Similar Books

Loading...

Similar Chapters

Loading...

Similar News

Loading...

Similar Articles

Loading...

Similar Article Headings

Loading...

امتیاز علی خاں عرشی

مولانا امتیاز علی خاں عرشی
سخت افسوس ہے گذشتہ ماہ فروری کی۲۵/تاریخ کومولانا امتیاز علی خاں عرشی بھی ۷۷برس کی عمر میں اپنے وطن رامپور میں داعیٔ اجل کولبیک کہہ کراس عالم فانی سے رخصت ہوگئے۔اناﷲ وانا الیہ راجعون۔ مرحوم کی شہرت کاآغاز اوّل اوّل غالبیات کے ماہرکی حیثیت سے ہوا،انھوں نے غالب کے دیوان اور خطوط پرجوتحقیقی مقالات لکھے،انھوں نے اردو زبان وادب کے حلقہ میں دھوم مچادی۔ وہ بیک وقت عربی، فارسی اوراردو تینوں زبانوں اوران کے ادب کے نامور مبصرومحقق تھے۔
وہ رامپور میں۱۹۰۴ء میں پیداہوئے۔رامپور پٹھانوں کی مشہور بستی ہے جو افغانستان کے مختلف قبیلوں سے منسوب ہیں۔ مرحوم کاخاندانی تعلق حاجی خیل قبیلہ سے تھا جویوسف زئی قبیلہ کی ایک شاخ ہے، ابتدائی تعلیم مطلع العلوم نامی ایک مقامی مدرسہ میں پائی۔اسی زمانہ میں پنجاب یونیورسٹی سے عالم کاامتحان پاس کیا۔پھر اورینٹل کالج لاہور میں داخلہ لے کر اولاً مولوی فاضل کااوراس کے بعد منشی فاضل کاامتحان پرئیویٹ طورپر دیا اوردونوں امتحانوں میں درجہ اوّل میں کامیاب ہوئے۔ رامپور واپس آکر مدرسۂ عالیہ کی اونچی کلاس میں داخل ہوئے اور اس سے سند فراغ لی۔تعلیم سے فارغ ہونے کے بعد چند دنوں ندوۃ العلماء کے سفیر رہے، اس سے بیزار ہوکر مستعفی ہوئے توتجارت کرنے لگے، ناتجربہ کاری کے باعث اس میں گھاٹاہوا تو دامن جھاڑ کراس سے بھی الگ ہوگئے۔ آخر۱۹۳۲ء میں رامپور کے مشہور زمانہ کتب خانہ جوتقسیم کے بعد سے رضا اسٹیٹ لائبریری کہلاتا ہے اس سے بحیثیت ناظم کے وابستہ ہوئے۔
کتب خانہ کے ساتھ ان کی یہ وابستگی زندگی کے آخری سانس یعنی کم و بیش نصف صدی تک باقی رہی۔اس مدت میں انھوں نے کتب خانہ کی کیسی عظیم الشان خدمات انجام دی ہیں۔اس کااندازہ اس سے ہوسکتا ہے کہ ملازمت سے سبکدوشی کے عام قانون سے مستثنیٰ کرکے گورنمنٹ نے آرڈر دے دیا ہے کہ...

الإعلام البديل ودوره في تشكيل الرأي العام الوطني: موريتانيا أنموذجا

انطلقت هذه الدراسة أساسا من محاولة وضع تعريف جامع مانع لمفهوم الإعلام البديل وكذا الدور الكبير الذي يلعبه في التشكلات الأولية للرأي العام الموريتاني. واستخدم الباحث في دراسة هذا الموضوع المنهج الوصفي التحليل. وقد توصلت الدراسة إلى أن الإعلام البديل يساهم بشكل كبير في تشكل وصناعة الرأي العام بمختلف تجلياته سواء تعلق الأمر بالرأي العام المنقاد أو المستنير. كما تبين من خلال التحليل عبر مباحث المقال أن الإعلام البديل له دور كبير في صناعة القرار السياسي، فقد بات واضحا أن العديد من القرارات التي تتخذها الحكومات تبنى على رغبات الرأي العام ومواقفه من قضايا تم نقاشها عبر مواقع التواصل الاجتماعي وهذا ما جعل بعض الباحثين يطلق مفهوم السلطة الرابعة على الإعلام.

Electron Transport Phenomena in Semiconductor Nanostructures

Metal sulphide nanostructures were prepared by solid state reaction technique and their electrical and dielectric properties were explored using ac measurements. This was followed by their integration with silicon nanowires (Si NWs) to fabricate photodetectors with improved characteristics. The prepared nanostructures include bismuth sulphide (Bi2S3) nanorods (diameter ~20 nm; length ~100 nm – ~150 nm), cadmium sulphide (CdS) nanoparticles (diameter ~17 nm), molybdenum disulphide (MoS2) nanoflakes and zinc sulphide (ZnS) nanoparticles (NPs) (diameter ~30 nm). The crystallinity of these nanostructures was confirmed by x-ray diffraction (XRD) technique. Impedance plane plots of pressed pellets of Bi2S3 nanorods obtained in the frequency range 20 Hz – 2 MHz showed the presence of grains and grain boundaries from 310 K – 400 K. Small polaron hopping was observed as the charge transport mechanism in the nanorods. In CdS nanoparticles, Impedance plane plots from 300 K – 400 K in the same frequency range indicated the phases of grain boundaries, sub-grain boundaries and grains. Overlapped Large Polaron Tunneling (OLPT) mechanism was observed in CdS nanoparticles. The large values of dielectric constants observed in CdS nanoparticles obey Maxwell-Wagner theory of interfacial polarization. Impedance spectroscopy of pressed pellet of MoS2 nanoflakes indicated the presence of two dielectric relaxation processes associated with bulk and interfaces from 180 K – 280 K. Mott‟s 2D Variable Range Hopping (VRH) model explains the conductivity of MoS2 nanoflakes. ZnS NPs and Si NWs were used to form hybrid devices for photodetection. We observed persistent photoconductivity, enhanced Detectivity, Responsivity, and External Quantum Efficiency (EQE) in hybrid ZnS nanoparticles (NPs) and vertical Si NW devices. ZnS nanoparticles were prepared by co-precipitation method. Si NWs (length ~30 mm, diameter ~30 – 400 nm) were prepared by electroless chemical etching. Hybrid devices showed ~10, 3 and 10 times enhancement of EQE, Detectivity, and Responsivity, respectively as compared with the Si NWs only devices. The enhancement is attributed to presence of low refractive index ZnS around Si NWs causing funneling of photon energy into Si NWs.