مولانا محمدعبدالرشید نعمانی کاانتقال
ادارہ ندوۃ المصنفین دہلی سے جن کا علمی واسطہ ورابطہ تھا وہ رفتہ رفتہ اب اس دنیا سے اٹھتے جارہے ہیں جس کی وجہ سے علمی میدان میں ایک خلا سامحسوس ہورہاہے۔ایک کے بعد ایک علمی ہستی اس دنیا سے اٹھتی جارہی ہے اورہم کورنج و غم کے صدمہ میں مبتلا کرتی جارہی ہے۔ایسی ہی ایک عظیم شخصیت حضرت مولانا محمد عبدالرشید نعمانی کی ہے جو ماہ اگست۱۹۹۹ء کے آخر عشرہ میں کراچی پاکستان میں موت کی آغوش میں ہمیشہ ہمیشہ کے لیے سوگئی۔
اناﷲ واناالیہ راجعون
مرحوم مولانا عبدالرشید نعمانی کابانی ندوۃ المصنفین دہلی حضرت مفکر ملت مفتی عتیق الرحمن عثمانی ؒ سے خصوصی تعلق تھا،حضرت قبلہ مفتی صاحب نے ان کی علمی صلاحیتوں کوپہچان کران سے کتاب ’لغات القرآن‘ لکھوائی جومفید قرآنی خدمت ہے یہ حروف معجم پرمرتب کی گئی ہے اورچھ جلدوں میں مکمل ہوئی ہے۔ شروع کی چارجلدیں جوالف سے شروع ہوکر ع پر ختم ہوئی ہے مولانا نعمانی کی محنت وریاضت کاثمرہ ہیں۔ اس کی پہلی جلد کے شروع میں مولانانعمانی مرحوم کا بیش قیمت معلوماتی مقدمہ ہے جس میں کتاب کی نوعیت اوراس کی ترتیب میں ملحوظ رکھے جانے والے امور کے علاوہ اپنی محنت وجاں فشانی وغیرہ کابھی ذکر کیاہے۔ اس کوبڑے اہتمام سے حضرت مفتی صاحب ؒ کی نگرانی میں ادارہ ندوۃ المصنفین دہلی طرف سے شائع کیا گیا۔باقی دوجلدیں مرحوم کی عدم فرصت کی وجہ سے حضرت مولانا سید عبدالدائم جلالی ؒ نے مرتب فرمائیں۔جب بھی مرحوم دہلی میں قیام فرماتے رسالہ’’برہان‘‘کے لیے علمی مضامین لکھتے جو برہان میں شائع ہو کر علمی دنیا میں قبولیت کی سند حاصل کرتے۔
مرحوم میں بے پناہ خوبیاں تھیں، پاکستان جاکر بھی ہندوستان کی یاد انہیں ستاتی رہتی ان کے انتقال سے ادارہ ’’برہان‘‘کوزبردست صدمہ ہواہے۔اﷲ تعالیٰ مولانا محمد عبدالرشید نعمانی کی بال بال مغفرت فرمائے...
هدفت هذه الدراسة إلى التعرّف على علاقة التفكير الإستراتيجي بالأداء الوظيفي في وزارة التربية والتعليم الفلسطينية ومديريّاتها، إضافة إلى التعرّف إلى واقع ممارسة أبعاد التفكير الإستراتيجي في الوزارة، ومعرّفة مستوى الأداء الوظيفي في الوزارة، كما تمثلت مشكلة الدراسة في ندرة الدراسات والبحوث التطبيقية التي تتناول التفكير الإستراتيجي ومستوى الاهتمام به وعلاقته بالمتغيرات الأخرى، خاصة في القطاع العام في فلسطين، ولتحقيق أهداف الدراسة استخدم المنهج الوصفي التحليلي، واستخدمت الإستبانة أداة لجمع البيانات اللازمة من مجتمع الدراسة وعدده 550 موظفًا، وقد اعتمدت العينة العشوائية الطبقية النسبية ، وقد توصلت الدراسة إلى مجموعة من النتائج أهمّها أنّ درجة تطبيق موظفي الإدارة العليا في وزارة التربية والتعليم للتفكير الإستراتيجي متوسطة، حيث بلغت نسبة تطبيق موظفي الإدارة العليا للتفكير الإستراتيجي (61.40%)، وأنّ مستوى الأداء الوظيفي لموظفي الإدارة العليا جاء بدرجة مرتفعة وبنسبة تقييم بلغت (70.8%) ، كما وتبين وجود علاقة طردية ذات دلالة احصائية بين تطبيق التفكير الإستراتيجي ومستوى الأداء الوظيفي في وزارة التربية والتعليم الفلسطينية. وفي ضوء النتائج التي توصلت إليها الدراسة، قُدمت مجموعة من التوصيات أبرزها على وزارة التربية والتعليم الفلسطينية تبني ثقافة التفكير الاستراتيجي ونشرها بين العاملين في كافة المستويات ومنحنهم صلاحيات تمكنهم من ممارسة التفكير الاستراتيجي. كما وعليها تعزيز العاملين ذوي الأداء الوظيفي المرتفع وتحفيزهم باستمرار ورصد احتياجاتهم وتدريبهم والذي ينعكس بشكل ايجابي في تحقيق أهداف وزارة التربية والتعليم الفلسطينية. الكلمات المفتاحية: التفكير الاستراتيجي ، الاداء الوظيفي ، التعليم في فلسطين
As Silicon CMOS manufacturing industry is possibly reaching to its climax with complex requirements posed by the International Technology Roadmap of Semiconductors; a “More Moore” approach is fully utilized to further exploit the Silicon Fabrication protocols. This goes hand in hand with other two process and design strategies, namely, “More than Moore” and “Beyond CMOS”. A 10 node technology, converging the chip fabrication processes between 10nm and 20nm, has been rigorously tested and revisited to look for complimentary solutions which are exploitable in variety of designs and processes in next generation technology nodes. The operational output characteristics of MOS/CMOS and its variant devices are being reassessed with a perspective of energy efficiency gained during the device design (inclusive of scaling requirements) and process development. This, in turn, influences the power consumption, proficiency of performance and reliability of the devices. Such energy efficient electronics has gained a huge interest due the evolution of Internet of Things (IoT) and its ultra-low power considerations. This study focuses on the energy efficient design and fabrication of Silicon CMOS/MOSCAP devices with a detailed electrical and electro-optical metrology. A FAB-specific MOSFET design (technology file), simulated output characteristics, half-of-FAB line processing of MOSCAP structure with integration of novel Atomic Layer Deposited TiN/HfSiOx metal gate/High-k stack and atomistic-layered PVD-driven Aluminium back-contact metallization is realized in this work. Energy efficiency is also studied through the concept of thermal budget by virtue of the dynamics of annealing which greatly influence the electrical properties of the gate stack and consequently the reliability of the process. Subsequent process characterization is performed using Current-Voltage, Capacitance-Voltage, Current Density, Leakage Resistance, Built-in Voltage, Doping Profiling, Charge-storage/ Permittivity, Hall Effect and Vertical Field analysis. Sophisticated metrology techniques such as Charge-Deep Level Transient Spectroscopy and Spectroscopic Ellipsometry are utilized to extract and evaluate the hypersensitive electrical and electro-optical parameters such as charge-transient behavior, activation energy, trap density, capture cross-section, refractive index, dielectric and extinction coefficients etc. Design verification through FAB-line processing, post-FAB thermal processing and variety of measurements revealed a number of interesting results which altogether provide a novel process window to engineer energy efficient electronics with a better trade-off. These results may have ramifications for device and process engineer.