مولانا عبدالباری ندوی
افسوس ہے مولانا عبدالباری ندوی کاگزشتہ مہینہ ایک طویل علالت کے بعد ۸۲برس کی عمر میں ان کے وطن لکھنؤ میں انتقال ہوگیا۔ مولانا کے نہایت ذہین اور طباع ہونے کی دلیل اس سے زیادہ اورکیاہوسکتی ہے کہ ان کی اصل تعلیم قدیم طریقہ کے مطابق عربی اورفارسی کی تھی اور انگریزی غالباً ہائی اسکول تک پڑھی تھی لیکن اپنے ذاتی مطالعہ اورشوق سے انھوں نے انگریزی میں اتنی استعداد بہم پہنچائی کہ اولاً فلسفۂ یورپ اورثانیاًسائنس کا مطالعہ کرسکیں۔فلسفہ سے انھیں خاص مناسبت تھی، چنانچہ اس میں ایساکمال حاصل کیا کہ برکلےؔ،برگسانؔ اورڈیوڈ ہیوم پر انھوں نے کتابیں لکھیں اور ان کی بعض کتابوں کا اردو میں ترجمہ کیا اورنہ صرف یہ بلکہ عثمانیہ یونیورسٹی میں پہلے فلسفہ کے لیکچرر اورپھراس کے ریڈر مقرر ہوئے۔ اسی زمانہ میں سیرت النبیؐ مصنفہ مولانا سید سلیمان ندوی کی جلدسوئم کے قدیم ایڈیشن میں مرحوم نے معجزات پرجو ایک باب لکھا تھا وہ زبان وبیان اوراستدلال و استنتاج کے اعتبار سے ایک نہایت اہم مقالہ کی حیثیت رکھتاتھا۔
طبع سلیم اگر رہنما نہ توفرط ذہانت اورفلسفہ کے ساتھ انہماک وتوغل بسا اوقات گمراہی کا سبب ہوجاتے ہیں، چنانچہ مرحوم کے ساتھ یہی ہوا، زندقہ والحاد کا شکار ہوگئے۔ ایک مدت کے بعد جب مولانا تھانوی سے بیعت ہوئے تو فلسفہ کا ردعمل اس شکل میں ہوا کہ مذہب کارہبانی تصور غالب آگیا، غرض کہ وہ زمانہ میں ع
اے روشنیٔ طبع توبرمن بلاشُدی
کامصداق رہے۔عملاً بڑے صالح،نیک،متقی اورپرہیز گار،زاہد وعابد، شب زندہ دار اوراخلاقی اعتبارسے بڑے شگفتہ طبع،بذلہ سنج وملنسار تھے۔مولانا شبلی کی تعلیم و تربیت نے اکابرعلماء وفضلا اورنامور ارباب قلم کی جو عظیم نسل پیداکی تھی، مولانا اس کی آخری یادگار تھے۔ ان کی آخری تصنیف جوبڑی معرکۃ الآرا ہے ’’مذہب و سائنس‘‘ ہے۔اﷲ تعالیٰ لغزشوں اورخطاؤں کومعاف فرمادے اورانھیں مغفرت و بخشش کی...
The conquest of Makkah is an extraordinary and unprecedented event of the Muslim history in which the Holy Prophet (PBUH) demonstrated his political discernment and strategy that Islam is an unassailable entity that can never be eradicated. Your democratic engagement in the conquest of Makkah facilitated the establishment of a government of peace and reconciliation in Arabia, which led the Arabs to grow submissive to the Sharia. They all became Muslims as a consequence of your political participation; hence, Makkah's government was then altered and structured accordingly with Islamic principles. The political role of the Holy Prophet (PBUH) in the conquest of Makkah has been addressed in this article. The methodology chosen to go ahead with this piece was astounding. However, the challenge faced during the research was: Muslims in the modern age encounter a slew of political issues. And as a result, Politicians, if they try, can overcome their challenges by remembering the Holy Prophet's (PBUH) political involvement in the Conquest of Makkah. Keywords: The Holy Prophet (PBUH), political problems, The Conquest of Makkah, Modern era.
This research focuses on the designing and simulation of normally-on and normally- off 4H-SiC VJFET. In the present study, concepts of controlling and improving the device characteristics have been discussed by employing geometrical parameters, such as drift layer thickness and channel width along with doping concentration. A two dimensional numerical device simulator, Sentaurus TCAD, is used to design, model and optimize the structures of SiC VJFET. The extraction of parameters through finite element simulation is also a prime focus of this research. Based on the review of SiC JFET, different structures are designed to address some important parameters that are not readily accessible when using experimental methods. The relationship between electric field, electron mobility and electron velocity is also discussed through finite element simulation. The effect of channel concentration on breakdown and forward characteristics is discussed and devices are shown to behave normally-off in the selected range of channel concentrations from 1 x 1015 cm-3 to 9 x 1015 cm-3. Herein, we theoretically report the presence of bipolar mode at high gate voltage in 4H-SiC VJFET for the first time. To the best of our knowledge, these observations are not yet discussed experimentally. The theoretical evidence showing the presence of bipolar mode at high gate voltage hence reduces the current gain and specific on-resistance which ultimately effects the device performance. These investigations will definetly help improve the functionality of experimentally desigened devices afterwards. Temperature-dependent high voltage breakdown characteristics of normally-off 4H-SiC VJFET are also simulated, utilizing the wider drift layer thickness of 120 μm. In order to investigate the temperature-dependent electric field and impact ionization distribution, finite element simulation is performed. The distribution of electric field revealed the punch-through behavior which provides high breakdown voltage capability at narrow channel opening in case of zero gate bias or wider channel opening under limited negative gate bias. Furthermore, the device exhibits a negative temperature coefficient for breakdown voltage. Breakdown voltages are obtained with the dependence of channel widths demonstrating that negative gate voltage is required to obtain the maximum breakdown voltage. Furthermore, the effects of drift layer thickness with the dependence of drift doping on the breakdown voltage and specific on-resistance are discussed. Detailed analyses of design parameters are performed with the set of parameters used in the process calibration. The obtained results are compared with the experimental and theoretical reported data, demonstrating that the proposed structures show a good validation between simulation and experiments.